Актуальность работы обусловлена необходимостью получения наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками для разработки и создания производства высокоэффективных приборов полупроводниковой энергетики. Цель работы: выяснение причины образования широкозонного полупроводникового материала из узкозонного при выращивании его в виде квантовых точек, а также исследование возможности применения фазового перехода металл-полупроводник для получения материала, который в виде квантовых точек соответствует узкозонному полупроводнику. Методы исследования: выращивание наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками осуществляли методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки; свойства полученных структур изучали исследованием спектров их фотолюминесценции снятых с образцов с помощью набора спектральной аппаратуры на базе двух монохроматоров МДР-41. Результаты: Выявлено, что изменение ширины запрещенной зоны InAs в квантовой точке, по сравнению с объемным материалом InAs, обусловлено размерами квантовых точек, величина которых зависит от разности постоянных решеток матричного материала и материала квантовой точки. В наногетероэпитаксиальных структурах с квантовыми точками из металла (иттербия) реализуется фазовый переход металл-полупроводник. Ширина запрещенной зоны полупроводника, образующегося при этом, определяется температурой выращивания. Применение фазового перехода металл-полупроводник позволяет получать в одном технологическом процессе многослойные наногетероэпитаксиальные структуры с массивами квантовых точек, имеющими различные значения ширины запрещенной зоны.